يغير سباق الذكاء الاصطناعي خريطة صناعة الذاكرة العالمية، إذ تتجه الشركات إلى تخصيص نسبة أكبر من خطوط الإنتاج لذاكرة النطاق الترددي العالي HBM المستخدمة مع معالجات الذكاء الاصطناعي، وقد تصل هذه الذاكرة إلى نحو 30% من الطاقة الإنتاجية العالمية لرقائق DRAM خلال العام المقبل، مقارنة بنحو 20% حاليًا، ما يعني أن توسع مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي بدأ يؤثر مباشرة في طريقة توزيع المصانع لقدراتها الإنتاجية بين أنواع الذاكرة المختلفة.

كل شريحة HBM تزاحم الذاكرة التقليدية

وفقًا لتقرير رويترز، أوضحت Samsung Electronics أن HBM وDRAM التقليدية تعتمدان على طاقة تصنيع الرقائق نفسها، وبالتالي فإن زيادة الحصة المخصصة لذاكرة HBM تقلل المساحة المتاحة لإنتاج الأنواع التقليدية، وتعد HBM مكونًا أساسيًا في حوسبة الذكاء الاصطناعي لأنها تعتمد على تكديس طبقات الذاكرة بطريقة تسمح للمعالج بالوصول بسرعة إلى كميات كبيرة من البيانات، وهو ما تحتاج إليه النماذج الضخمة أثناء التدريب والاستدلال.